전력반도체: 두 판 사이의 차이

2021년 10월 16일 (토) 01:01 판

전력변환, 전력변압, 전력안정, 전력분배 및 전력제어 등을 수행하는 데 사용되는 반도체 및 부품.^[1] 예를 들어 가정에 공급되는 220V^[2] 교류 전류로 스마트폰을 충전하려면 5~20V 직류 전류로 바꿔줘야 하는데 이런 걸 전력반도체가 한다.

우리나라는 세계적으로 손꼽히는 반도체 강국이지만 메모리 반도체 쪽으로 몰려 있고 비메모리 분야도 전력반도체는 그닥 관심을 받고 있지는 못한 실정이다. 하지만 최근 들어 전기 전자기기가 대용량 고출력으로 나아가고 있고, 전기자동차, ESS 시장이 빠르게 성장하고 있어서 고출력 충방전을 안정성 있게 처리할 수 있는 고성능 전력반도체에 대한 수요도 빠르게 늘어나고 있다.

전력반도체로 가장 각광 받는 웨이퍼 소재는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)이다. 단, GaN도 그 아래에는 SiC 웨이퍼가 있고, 그 위에 GaN을 코팅하는 형태로 만든다. 기존 실리콘 기반 반도체도 가능은 하지만 고출력에 사용하기에는 성능이 부족하고 발열량이 많아져서 화재 위험도 커진다. 질화갈륨 소재는 용량도 크고 발열이 적기 때문에 전력반도체에는 가장 좋은 소재라고 할 수 있지만 실리콘에 비해 갈륨의 가격이 많이 비싸다는 게 가장 흠. 하지만 최근 전기전자 장치가 대용량, 고출력으로 가다 보니 기존 반도체를 사용하는 전원공급장치나 충전기가 너무 커지고 열도 많이 나는 문제가 있어서 최근 들어 GaN을 사용해서 작으면서도 높은 충전 용량을 가진 충전기들이 속속 나오고 있다.

각주

↑ 신훈규, "전력반도체 기술개발 동향", 조명·전기설비학회지 제30권 제2호, 2016년 3월호, pp. 4.
↑ 전압은 국가에 따라 110~230V까지 다양하기 때문에 해외여행 때에도 많이 사용해야 하는 스마트폰의 충전기는 다양한 입력 전압에도 대응해야 한다.

[1] 신훈규, "전력반도체 기술개발 동향", 조명·전기설비학회지 제30권 제2호, 2016년 3월호, pp. 4.

[2] 전압은 국가에 따라 110~230V까지 다양하기 때문에 해외여행 때에도 많이 사용해야 하는 스마트폰의 충전기는 다양한 입력 전압에도 대응해야 한다.

[1]

[2]

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 전력변환, 전력변압, 전력안정, 전력분배 및 전력제어 등을 수행하는 데 사용되는 반도체 및 부품.<ref>신훈규, [https://www.koreascience.or.kr/article/JAKO201614652522693.pdf "전력반도체 기술개발 동향"], 조명·전기설비학회지 제30권 제2호, 2016년 3월호, pp. 4.</ref> 예를 들어 가정에 공급되는 220V<ref>전압은 국가에 따라 110~230V까지 다양하기 때문에 해외여행 때에도 많이 사용해야 하는 스마트폰의 충전기는 다양한 입력 전압에도 대응해야 한다.</ref> 교류 전류로 스마트폰을 충전하려면 5~20V 직류 전류로 바꿔줘야 하는데 이런 걸 전력반도체가 한다.
-우리나라는 세계적으로 손꼽히는 [[반도체]] 강국이지만 메모리 [[반도체]] 쪽으로 몰려 있고 비메모리 분야도 전력반도체는 그닥 관심을 받고 있지는 못한 실정이다. 하지만 최근 들어 전기 전자기기가 대용량 고출력으로 나아가고 있고, [[전기자동차]], [[ESS]] 시장이 빠르게 성장하고 이어서 고출력 충방전을 안정성 있게 처리할 수 있는 고성능 전력반도체에 대한 수요도 빠르게 늘어나고 있다.
+우리나라는 세계적으로 손꼽히는 [[반도체]] 강국이지만 메모리 [[반도체]] 쪽으로 몰려 있고 비메모리 분야도 전력반도체는 그닥 관심을 받고 있지는 못한 실정이다. 하지만 최근 들어 전기 전자기기가 대용량 고출력으로 나아가고 있고, [[전기자동차]], [[ESS]] 시장이 빠르게 성장하고 있어서 고출력 충방전을 안정성 있게 처리할 수 있는 고성능 전력반도체에 대한 수요도 빠르게 늘어나고 있다.
-전력반도체로 가장 각광 받는 [[웨이퍼]] 소재는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)이다. 단, GaN도 그 아래에는 SiC [[웨이퍼]]가 있고, 그 위에 GaN을 코팅하는 형태로 만든다. 기존 실리콘 기반 반도체도 가능은 하지만 고출력에 사용하기에는 성능이 부족하고 발열량이 많아져서 화재 위험도 커진다. 질화갈륨 소재는 용량도 크고 발열이 적기 때문에 전력반도체에는 가장 좋은 소재라고 할 수 있지만 실리콘에 비해 갈륨의 가격이 많이 비싸다는 게 가장 흠. 하지만 최근 전기전자 장치가 대용량, 고출력으로 가다 보니 기존 반도체를 사용하는 전원공급장치나 충전기가 너무 커지고 열도 많이 나는 문제가 있어서 최근 들어 GaN을 사용해서 작으면서도 높은 충전 용량을 가진 충전기들이 속속 나오고 있다.
+전력반도체로 가장 각광 받는 [[웨이퍼]] 소재는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)이다. 단, GaN도 그 아래에는 SiC [[웨이퍼]]가 있고, 그 위에 GaN을 코팅하는 형태로 만든다. 기존 [[실리콘]] 기반 [[반도체]]도 가능은 하지만 고출력에 사용하기에는 성능이 부족하고 발열량이 많아져서 화재 위험도 커진다. 질화갈륨 소재는 용량도 크고 발열이 적기 때문에 전력반도체에는 가장 좋은 소재라고 할 수 있지만 실리콘에 비해 갈륨의 가격이 많이 비싸다는 게 가장 흠. 하지만 최근 전기전자 장치가 대용량, 고출력으로 가다 보니 기존 반도체를 사용하는 전원공급장치나 충전기가 너무 커지고 열도 많이 나는 문제가 있어서 최근 들어 GaN을 사용해서 작으면서도 높은 충전 용량을 가진 충전기들이 속속 나오고 있다.
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